项目介绍：

该成果提出并实现了基于SOI技术的“浮雕式”耐高温固态压阻力敏芯片，采用了SIMOX技术制作SiO2隔离层，解决了常规压力传感器工作温度≥120℃产生失效的技术难题；提出并实现了梁膜结合的传感器结构，将被测高温流体与SOI敏感元件隔离开来，避免了被测流体的瞬时高温冲击，解决了瞬时高温（≥2000℃）冲击的难题；提出并实现了钛-铂-金梁式耐高温布线系统，解决了高温恶劣环境下传感器引线的技术难点；提出并实现了在一个芯片上制作两套惠斯登检测电路，提高了传感器的灵敏度，改善了传感器的抗干扰能力；采用热膨胀系数与硅相匹配的封装材料和敏感元件和弹性元件之间的“固-固”封接技术，提高了传感器线性、重复性、迟滞等静态特性，保证了在高温工作和瞬时高温冲击条件下的工作稳定性。该成果在静态精度、耐高温工作能力及动态响应性能等方面达到国外同类先进产品的性能；在耐瞬时超高温冲击等方面超过了国外产品。价格仅为国外同类产品的1/4，性能价格比高。已顺利通过国家科技部的验收。