负责人:李丹

所在学院：电信学部微电子学院

一、项目简介

随着5G,大数据，人工智能，云计算，高清视频的普及，人们对带宽的诉求已远大于计算，且成指数形式增加。在目前的各种高速通信场景中，光纤通信为各种高带宽场景提供了高速率基础设施。其中，光纤通信芯片则决定了网络的传输速率，为其关键所在。

本项目立足于开发用于接入网的光纤通信芯片，面向千兆入户的亿级应用场景。目前已完成第一版芯片流片验证，实现了Class C+产品级性能。第二版Class D产品级芯片正在研发中，预计2021年秋流片。

二、产品性能优势

1.本项目通过采用廉价CMOS工艺，芯片制造成本较现有SiGe产品降低一个数量级。同时，CMOS流片周期为2个月，较SiGe流片时间(6个月)缩短3倍，极大加速产品研发及迭代时间。目前市场已有产品均基于SiGe工艺，不但成本高、制造周期长，而且国内无高速SiGe芯片代工厂。业界有公司尝试采用CMOS进行此类产品设计，目前均未有成功报道。

2.基于课题组10余年的研发积累和深度产学研合作，通过独有的芯片设计技术和努力，首次在CMOS平台突破了低噪声、快速突发相响应、大动态突发输入范围、低功耗等技术难关，芯片整体性能较同类产品有明显优势。测试结果表明，芯片实现了10G PON Class C+级性能。

三、市场前景及应用

随着光纤接入网等快速发展，千兆入户已开始大规模商用。今年工信部印发的《“双千兆”络协同发展动规划2021-2023年》，进一步加速了10G PON网络的快速部署，中国电信等运营商已开始进行海量采购。2021年一季度，市场同比增长400%。预计未来10年，市场将持续高速增长。根据测算，我国每年OLT PON端口增量约500万/年，ONU PON端口增量约2000万/年，按100元/套片计算，PON芯片每年市场规模在25亿元人民币。

四、技术成熟度

√概念验证□原理样机□工程样机√中试√产业化

五、合作方式

√联合研发√技术入股□转让√授权（许可）□面议

附图

芯片照片

芯片封装照片