负责人:云峰

所在学院：电信学部电子科学与工程学院

一、项目简介

本项目是基于垂直结构特种半导体照明芯片核心技术的大功率LED产品。采用更适合大电流密度驱动的独特外延技术，采用先进的晶元键合，激光剥离技术将生长在不导电、不导热的蓝宝石衬底上的外延晶圆转移到导热、导电性优异的金属衬底上,并配以光提取效率达到90%以上的超级出光结构，形成单颗最大14mm2 的大尺寸芯片。

二、产品性能优势

大功率垂直结构芯片工艺，其主要特点是将外延和蓝宝石衬底分离，键合到另外一个导热性更好的衬底上，电极被置于芯片两侧，非出光面的衬底整面都可以当做电极。垂直结构芯片结构克服了水平、倒装结构由于电流拥堵，散热不均匀等一系列问题。在大功率LED芯片制备中，通过纳米空气腔结构，提高了光提取效率。通过芯片键合和激光剥离工艺实现了LED芯片衬底转移，从而解决了大功率LED的散热问题。本系列产品首先探索出大功率LED垂直结构芯片提高出光效率、电光转换效率。研发采用tracepro和DIALUX等光学设计软件，使得光源能够有效利用。结合不同的应用场景，制定出不同LED 照明和消杀灯具，避免了光源浪费，提高了光源利用效率，降低了生产成本。

三、市场前景及应用

根据其高功率点光源的特点，可适用于需要大尺寸强光源的产品中，如车灯等大功率。其高分辨和准直的特性可以应用于Micro-LED投影显示等;其中的深紫外芯片技术能够大幅提高深紫外LED 的出发光效率，适用于医疗行业、家电行业、空气净化等。

未来三年，将围绕垂直结构大功率LED芯片产业化项目的开发建设，从通用照明开始，逐渐开发汽车照明和商务投影使用的大功率蓝、绿以及白光LED芯片。开发适用于工业级3D打印技术和UV固化、杀菌的大功率紫外芯片。立足自身发展规划，做好技术开发 专利池建设，大力开展推广工作。围绕提升芯片亮度、辐射通量和可靠性开展技术攻关。开发出 180lm/W 以上发光效率的垂直结构大功率LED芯片产品，并保持每年20%左右的提升速度。不断采用新技术升级产线，降低生产成本，扩大生产规模。使国产大芯片完全替代进口，满足应用市场需求。在国家政策的扶持下，实现垂直结构大功率LED芯片核心技术国产化应用，占据国内垂直结构大功率LED芯片市场20%以上份额，并参与国际合作与市场竞争，产品进入欧美市场。

四、技术成熟度

□概念验证 □原理样机 □工程样机 □中试 √产业化

五、合作方式

□联合研发 □技术入股 □转让 □授权（许可）√面议

附图